Propriedades dos portadores de carga livres e mecanismos de dopagem em materiais à base de de InN

Descrição

Semiconductor thin films and nanostructures
group-III nitrides
doping and conductivity
structural properties and defects

Coordenação

Instituto Superior Técnico (IST/UTL)

Participantes

Universidade de Aveiro (UA); Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa (FCT/UNL); Department of Electrical Engineering and Center for Materials Research and Analysis, University of Nebraska-Lincoln (UNL)

Financiadores

Sponsors
Partilhe este Projeto:

Projetos Similares

Usamos cookies para atividades de marketing e para lhe oferecer uma melhor experiência de navegação. Ao clicar em “Aceitar Cookies” você concorda com nossa política de cookies. Leia sobre como usamos cookies clicando em "Política de Privacidade e Cookies".