Ligas ternárias e quaternárias de nitretos para heteroestructuras com compatibilidade nos parâmetros de rede: novos materiais para transístores de efeito de campo e dispositivos optoelectrónicos de elevada eficiência

Descrição

nitrides
AlInN
strain
nanostructures

Coordenação

Instituto Superior Técnico (IST/UTL)

Participantes

Universidade de Aveiro (UA); University of Strathclyde (U-STRATH)

Resultados

Financiadores

Sponsors
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